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硅片HMDS涂布機臺,4寸Wafer hmds烤箱

硅片HMDS涂布機臺,4寸Wafer hmds烤箱

簡要描述:

硅片HMDS涂布機臺,4寸Wafer hmds烤箱是將 HMDS 涂到硅片表面后,經(jīng)烘箱加溫可反應生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷?其疏水基可很好地與光刻膠結合,起著偶聯(lián)劑的作用。

硅片HMDS涂布機臺,4寸Wafer hmds烤箱的作用:

在半導體生產(chǎn)工藝中,光刻是集成電路圖形轉移重要的一個工藝環(huán)節(jié),涂膠質量直接影響到光刻 的質量,涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的,而硅片表面的羥 基和殘留的水分子是親水的,這造成光刻膠和硅片的黏合性較差,尤其是正膠,顯影時顯影液會 侵入光刻膠和硅片的連接處,容易造成漂條、浮膠等,導致光刻圖形轉移的失敗,同時濕法腐蝕 容易發(fā)生側向腐蝕。增黏劑 HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況。將 HMDS 涂到硅片 表面后,經(jīng)烘箱加溫可反應生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷?其疏水基可很好地與光刻膠結合,起著偶聯(lián)劑的作用。

硅片HMDS涂布機臺,4寸Wafer hmds烤箱的工作原理:

   首先確定烘箱工作溫度,打開真空泵抽真空,待腔內真牢度達到某一高真空度后,開始充人氮氣,充到達到某低真空度后,再次進行抽真空、充入氮氣的過程,到達設定的充入氮氣次數(shù)后,開始保持一段時間,使硅片充分受熱,減少硅片表面的水分。然后再次開始抽真空,充入 HMDS氣體,在到達設定時間后,停止充入 HMDS 藥液,進入保持階段,使硅片充分與 HMDS 反應。當達到設定的保持時間后,再次開始抽真空。充入氮氣,完成整個作業(yè)過程。HMDS 與硅片反應機理:首先加熱到 150℃ -170℃,去除硅片表面的水分,然后 HMDS 與表面的 OH 一反應,在硅片表而生成硅醚,消除氫鍵作,從而使極性表面變成非極性表面。整個反應持續(xù)到空間位阻(*基硅烷基較大)阻止其進一步反應。

的注意事項:

尾氣排放:多余的 HMDS 蒸汽(尾氣)將由真空泵抽出,排放到廢氣收集管道。在無廢氣收集 管道時需做專門處理。

 

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